全球最薄硅功率晶圆出世，对半导体行业有何影响？

2931520068

　　cyusb3014

　　10月29日，半导体大厂英飞凌宣布推出全球最薄硅功率晶圆，成为首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司。

　　英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示，随着AI数据中心的能源需求大幅上升，能效变得日益重要。这给英飞凌带来了快速发展的机遇，英飞凌预计其AI业务收入在未来两年内将达到10亿欧元。

　　1晶圆厚度仅为头发丝1/4

　　技术规格上，这种晶圆直径为30mm，厚度20μm仅为头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。通常来讲，晶圆的厚度大致在几十到几百微米之间。此次英飞凌将晶圆厚度降低到20μm，可谓是业界全新的突破。但业界也认为，更薄的晶圆也将面临一些新的技术挑战，例如传统工艺兼容、翘曲等问题。

　　技术优势上，与基于传统硅晶圆的解决方案相比，该技术晶圆厚度减半，基板电阻可降低50%，功率系统中的功率损耗可减少15%以上。对于高端AI服务器应用来说，电流增大会推动能源需求上升，因此，将电压从230V降低到1.8V以下的处理器电压，对于功率转换来说尤为重要。

　　应用领域上，英飞凌这款超薄晶圆技术已获得认可，并被应用于英飞凌的集成智能功率级(直流-直流转换器)中，且已交付给首批客户。英飞凌指出，这项创新将有助于大幅提高功率转换解决方案的能效、功率密度和可靠性，适用于AI数据中心，以及消费、电机控制和计算应用。

　　目前，英飞凌拥有全面的产品和技术组合，覆盖了基于Si、SiC和GaN的器件。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体作为新型半导体材料，因其在高功率应用中的卓越表现，也被认为是硅的下一代继任者。英飞凌称，硅将继续在许多领域占据主导地位，但英飞凌也在积极推进SiC和GaN技术的发展。

　　在氮化镓方面，英飞凌推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆;碳化硅方面，该公司提升其200毫米晶圆产能，目前已建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂，晶圆厂位于马来西亚居林。

　　上述体现出英飞凌加强布局功率半导体市场的决心。