积塔半导体与英飞凌签署合作协议，深化嵌入式非易失存储 eNVM 技术协作

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    射频开关
    4月9日消息，上海积塔半导体在2026技术创新研讨会上与英飞凌正式签署项目合作协议，双方将围绕嵌入式非易失存储领域深化技术协作，共同推动特色工艺代工能力升级。
    积塔半导体目前已建和在建月产能按8英寸晶圆计共30万片，存储技术布局形成eFlash、SONOS、RRAM三条路线并行。此次引入的SONOS技术具备工艺兼容性好、集成成本低、量产数据充分的优势。
    作为专注于特色工艺的半导体企业，积塔与英飞凌的合作将丰富在高可靠且成本敏感场景下的解决方案，对国内半导体特色工艺代工能力有积极意义。